Traduction de «Transistor pour circuits couches » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE

transistor pour circuits couches
transistor for film circuits

transistor à double couche épitaxiale
double-epi transistor | double-epitaxial transistor

circuit couche épaisse
thick-film circuitry

circuit logique à diodes et transistors | circuit à diodes et transistors | logique à diodes et transistors | logique diode-transistor | circuit DTL
Diode Transistor Logic | DTL | diode-transistor logic

transistor en couches minces [ TFT,TCM | transistor en couche mince ]
thin film transistor [ TFT | thin-film transistor ]

transistor en couches minces [ TFT | transistor à couches minces ]
thin-film transistor

transistor à couche mince | transistor en couche mince
thin film transistor | thin-film transistor | TFT [Abbr.]

transistor avec couche enterrée
overlay transistor

film mince de transistor | transistor en couches minces
thin film transistor | TFT [Abbr.]

composant électronique [ circuit intégré | composant de mémoire | microprocesseur | puce électronique | semi-conducteur | transistor | tube électronique ]
electronic component [ electronic tube | integrated circuit | microchip | microprocessor | semi-conductor | transistor ]

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.
[16] The observation made in 1965 by Gordon Moore, co-founder of Intel, about the speed at which the density of transistors in integrated circuits was increasing.

Aux fins de la présente note, « élément actif » s’entend de toute diode, tout transistor et tout dispositif similaire à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41 et des circuits intégrés et micro-assemblages de la position 85.42.
For purposes of this Note, “active elements” means diodes, transistors and similar semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading 85.41 and integrated circuits and microassemblies of heading 85.42.

Pour l’application de la présente note, « éléments actifs » s’entend des diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41 et des circuits de la position 85.42 et des micro-assemblages électroniques des positions 85.43 ou 85.48.
For purposes of this Note, “active elements” means diodes, transistors and semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading 85.41 and integrated circuits of heading 85.42 and microassemblies of heading 85.43 or 85.48.

Pour l’application de la présente note, « élément actif » s’entend de toute diode, tout transistor et tout dispositif similaire à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41, et des circuits intégrés et micro-assemblages de la position 85.42.
For purposes of this note, “active elements” means diodes, transistors and similar semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading No. 85. 41, and integrated circuits and microassemblies of heading No. 85. 42.

- équipements contenant des gaz préjudiciables à appauvrissant la couche d'ozone ou présentant un potentiel global de réchauffement de la planète climatique (PRPGWP) supérieur à 15, présents par exemple dans les mousses et les circuits de réfrigération: ces gaz doivent être enlevés extraits et traités selon une méthode adaptée.
– equipment containing gases that are ozone depleting or have a global warming potential (GWP) above 15, such as those contained in foams and refrigeration circuits: the gases must be properly extracted and properly treated.

équipements contenant des gaz appauvrissant la couche d'ozone ou présentant un potentiel de réchauffement de la planète (PRP) supérieur à 15, présents par exemple dans les mousses et les circuits de réfrigération: ces gaz doivent être extraits et traités selon une méthode adaptée.
equipment containing gases that are ozone depleting or have a global warming potential (GWP) above 15, such as those contained in foams and refrigeration circuits: the gases must be properly extracted and properly treated.

Le nombre de transistors pouvant être placés sur un circuit intégré devrait aller en augmentant de façon exponentielle et doubler tous les deux ans environ (suivant la loi dite de Moore).
The number of transistors that can be placed on an integrated circuit is expected to increase exponentially, doubling approximately every two years (so-called 'Moore's Law').

- Équipements contenant des gaz préjudiciables à la couche d'ozone ou présentant un potentiel global de réchauffement climatique (GWP) supérieur à 15 présents par exemple dans les mousses et les circuits de réfrigération.
- equipment containing gases that are ozone depleting or have a global warming potential (GWP) above 15, such as those contained in foams and refrigeration circuits: the gases must be properly extracted and properly treated.

Équipements contenant des gaz préjudiciables à la couche d'ozone ou présentant un potentiel de réchauffement climatique (GWP) supérieur à 15 présents par exemple dans les mousses et les circuits de réfrigération: ces gaz doivent être enlevés et détruits selon une méthode adaptée.
Equipment containing gases that are ozone depleting or have a global warming potential (GWP) above 15, such as those contained in foams and refrigeration circuits: The gases must be properly extracted and destroyed.

Cette année, les prix Descartes ont récompensé des travaux sur le développement de nouvelles méthodes étudiant les réactions chimiques cinétiques à très faible température, des recherches sur la synthèse et l'application d'une nouvelle famille de transistors polymériques conçus pour les circuits électroniques et la découverte du lien entre les processus qui réparent le matériel génétique et les moyens de transformer le matériel génétique en protéines.
This year, the Descartes prizes were awarded for research in developing new methods of studying chemical reaction kinetics at very low temperatures, for the synthesis and application of a new falily of polymeric self-oriented transistors for electronic circuits and for discovering the link between the processes that repair genetic material and the means by which genetic material is turned into proteins.