Vertaling van "Sputter deposition " (Engels → Frans) :

TERMINOLOGIE

sputter deposition
dépôt par pulvérisation cathodique

reactive ion deposition and etching | RIDE,reactive ion processes are an extension of sputtering processes in that the inert gas used for generating the plasma is replaced by a gas that reacts with the material to be deposited or etched [Abbr.]
dépôt et gravure ionique réactifs

cathode sputtering | sputtering | cathodic sputtering | sputter coating
pulvérisation cathodique | bombardement cathodique

high-rate sputtering vacuum deposition
dépôt sous vide par pulvérisation à haute intensité

cathode sputtering | cathodic sputtering | sputtering
pulvérisation de la cathode | évaporation cathodique | pulvérisation

reactive sputtering | reactive cathode sputtering
pulvérisation réactive

cathode sputtering [ sputtering ]
pulvérisation cathodique

engine miss [ engine sputtering | sputtering of the engine ]
raté de moteur

ion beam sputtering [ IBS | ion gun sputtering ]
pulvérisation au canon à ions

bank deposit [ demand deposit | deposit account | fixed deposit | sight deposit | time deposit ]
dépôt bancaire [ avoirs bancaires | compte bancaire | dépôt à terme | dépôt à vue ]

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Le tableau se réfère uniquement au dépôt par triode, par magnétron ou par pulvérisation cathodique, qui est utilisé pour augmenter l'adhérence du revêtement et la vitesse de dépôt, et au dépôt par pulvérisation cathodique amélioré par radiofréquence, utilisé pour permettre la vaporisation de matériaux de revêtement non métalliques.

This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Cela comprend les procédés dans lesquels l'implantation ionique est effectuée en même temps que le dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d'électrons ou le dépôt par pulvérisation cathodique.

2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment specially designed for cutting or machining tools.
Le paragraphe 2B005 ne vise pas les équipements pour le dépôt chimique en phase vapeur, pour le dépôt par arc cathodique, pour le dépôt par pulvérisation cathodique, pour le placage ionique ou pour l'implantation ionique, spécialement conçus pour outils de coupe ou d'usinage.

e". Stored programme controlled" sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 µm/h or more;
e. equipements de production à "commande par programme enregistré" pour le dépot par pulvérisation cathodique pouvant avoir des densités de courant égales ou supérieures 0,1 mA/mm2 à une vitesse de dépot égale ou supérieure à 15 µm/heure;

e". Stored programme controlled" sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm² or higher at a deposition rate of 15 µm/h or more;
e. equipements de production à "commande par programme enregistré" pour le dépot par pulvérisation cathodique pouvant avoir des densités de courant égales ou supérieures 0,1 mA/mm³ à une vitesse de dépot égale ou supérieure à 15 µm/heure;