élément lithophile à grand rayon ionique [ LILE | élément lithophile à fort rayon ionique | élément lithophile de fort diamètre ionique | élément lithophile de grand diamètre ionique ]

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large-ion lithophile element [ LILE | large ion lithophile element | LIL element ]

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lithographie par projection d'ions | lithographie par projection ionique | lithographie ionique par projection | lithographie ionique de projection

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ion beam projection lithography | ion projection lithography | IPL | projection ion lithography

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surfactant non ionique

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Non-ionic surfactant

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TRADUCTIONS EN CONTEXTE

5. le dépôt ionique est une modification spéciale d'une technique générale de dépôt en phase vapeur par procédé physique par évaporation thermique (TE-PVD) par laquelle une source d'ions ou un plasma est utilisé pour ioniser le matériau à déposer, une polarisation négative étant appliquée au substrat afin de faciliter l'extraction, hors du plasma, du matériau.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

5. Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionise the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

Le paragraphe 2B005 ne vise pas les équipements pour le dépôt chimique en phase vapeur, pour le dépôt par arc cathodique, pour le dépôt par pulvérisation cathodique, pour le placage ionique ou pour l'implantation ionique, spécialement conçus pour outils de coupe ou d'usinage.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment specially designed for cutting or machining tools.

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http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

Cela comprend les procédés dans lesquels l'implantation ionique est effectuée en même temps que le dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d'électrons ou le dépôt par pulvérisation cathodique.

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This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.

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http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

Des faisceaux ioniques à faible énergie (< 5 keV) peuvent être utilisés pour activer le dépôt.

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Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.

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http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

D'autres ont cherché : canal ionique dépendant d'un récepteur canal ionique ligand-dépendant canal ionique récepteur-dépendant canal ionique sensible au voltage canal ionique voltage-dépendant canal sensible au voltage dépôt assisté par faisceau ionique dépôt ionique dépôt ionique sous arc cathodique dépôt par faisceau ionique lithographie ionique de projection lithographie ionique par projection lithographie par projection d'ions lithographie par projection ionique placage ionique surfactant non ionique technique par dépôt ionique Dépôt ionique

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