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Dépôt assisté par faisceau ionique
Dépôt ionique
Dépôt par faisceau ionique
Faisceau d'ions focalisé
Faisceau d'ions focalisés
Faisceau ionique
Faisceau ionique focalisé
Faisceau ionique léger
Faisceau électronique ionique
Lithographie par faisceau d'ions focalisé
Lithographie par faisceau d'ions focalisés
Lithographie par faisceau ionique
Lithographie par faisceau ionique focalisé
Lithographie à faisceau d'ions focalisé
Lithographie à faisceau d'ions focalisés
Lithographie à faisceau ionique focalisé
Placage ionique

Traduction de «dépôt par faisceau ionique » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous


lithographie par faisceau d'ions focalisé | lithographie par faisceau d'ions focalisés | lithographie par faisceau ionique focalisé | lithographie à faisceau d'ions focalisé | lithographie à faisceau d'ions focalisés | lithographie à faisceau ionique focalisé

focused ion beam lithography | FIBL | FIB lithography


dépôt assisté par faisceau ionique

ion beam assisted deposition


faisceau d'ions focalisé | faisceau d'ions focalisés | faisceau ionique focalisé

focused ion beam | FIB










TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Machines-outils travaillant par enlèvement de toute matière et opérant par laser ou autre faisceau de lumière ou de photons, par ultrasons, par électro-érosion, par procédés électrochimiques, par faisceaux d'électrons, par faisceaux ioniques ou par jet de plasma; machines à découper par jet d'eau

Machine tools for working any material by removal of material, by laser or other light or photon beam, ultrasonic, electrodischarge, electrochemical, electron beam, ionic-beam or plasma arc processes; water-jet cutting machines


Machines-outils travaillant par enlèvement de toute matière et opérant par laser ou autre faisceau de lumière ou de photons, par ultrasons, par électro-érosion, par procédés électrochimiques, par faisceaux d'électrons, par faisceaux ioniques ou par jet de plasma; machines à découper par jet d'eau

Machine tools for working any material by removal of material, by laser or other light or photon beam, ultrasonic, electrodischarge, electrochemical, electron beam, ionic-beam or plasma arc processes; water-jet cutting machines


2. équipements spécialement conçus pour la production de masques ou le traitement de dispositifs semi-conducteurs, utilisant un faisceau électronique, un faisceau ionique ou un faisceau "laser" avec focalisation et balayage du faisceau, présentant l'une des caractéristiques suivantes:

2. Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focused electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:


1B226 Séparateurs électromagnétiques d'isotopes, conçus pour ou équipés de sources ioniques uniques ou multiples capables de produire un courant total de faisceau ionique de 50 mA ou plus.

1B226 Electromagnetic isotope separators designed for, or equipped with, single or multiple ion sources capable of providing a total ion beam current of 50 mA or greater.


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Cela comprend les procédés dans lesquels l'implantation ionique est effectuée en même temps que le dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d'électrons ou le dépôt par pulvérisation cathodique.

This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.


Le paragraphe 2B005 ne vise pas les équipements pour le dépôt chimique en phase vapeur, pour le dépôt par arc cathodique, pour le dépôt par pulvérisation cathodique, pour le placage ionique ou pour l'implantation ionique, spécialement conçus pour outils de coupe ou d'usinage.

2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment specially designed for cutting or machining tools.


b. équipements de production à "commande par programme enregistré" pour l'implantation ionique, ayant des courants du faisceau de 5 mA ou plus;

b". Stored programme controlled" ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;


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