Traduction de «semiconductor » (Néerlandais → Français) :

TERMINOLOGIE

metal-semiconductor-FET | schottky-barrier-FET | MESFET [Abbr.]
transistor à effet de champ à barrière de Schottsky | transistor à effet de champ métal semi-conducteur | transistor MESFET | MESFET [Abbr.]

metal nitrideoxyde semiconductor | MNOS-FET,MNS-transistor [Abbr.]
transistor à effet de champ à grille isolée métal-nitrure | transistor à effet de champ à grille isolée par nitrure métallique

Vertical Metal-Oxyde Semiconductor | verticale metaaloxide halfgeleider | VMOS [Abbr.]
MOS à canal vertical | MOS vertical

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

Semiconductor devices - Part 16-4: Microwave integrated circuits - Switches
Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 43: Guidelines for IC reliability qualification plans
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 43: Lignes directrices concernant les plans de qualification de la fiabilité des CI

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 28: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Charged device model (CDM) - device level
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essai mécaniques et climatiques - Partie 28: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de dispositif chargé par contact direct (DC-CDM)

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 5: Steady-state temperature humidity bias life test
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 5: Essai continu de durée de vie sous température et humidité avec polarisation

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 44 : Neutron beam irradiated single event effect (SEE) test method for semiconductor devices
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 44 : Méthode d'essai des effets d'un événement isolé (SEE) irradié par un faisceau de neutrons pour des dispositifs à semiconducteurs

Hij is niet-uitvoerend bestuurder bij NXP Semiconductors en IPG Photonics.
Il est administrateur non-exécutif de NXP Semiconductors et IPG Photonics.

[19] Zie Semiconductor Industry Association (SIA), Maintaining America's Competitive Edge: Government Policies Affecting Semiconductor Industry RD and Manufacturing Activity, maart 2009 ( [http ...]
[19] Voir «Maintaining America's Competitive Edge: Government Policies Affecting Semiconductor Industry RD and Manufacturing Activity» de l'Association de l'industrie des semi-conducteurs (SIA), mars 2009 ( [http ...]

|| In het kader van de Governments/Authorities Meeting on Semiconductors (GAMS) beleidsmaatregelen uitwerken om handels- en marktverstoringen te verminderen zodat een gelijk mondiaal speelveld ontstaat || Europese Commissie, sector || In uitvoering – versterking nodig
|| Élaborer des mesures politiques visant à instaurer des conditions équitables de concurrence mondiale en limitant les distorsions des échanges et du marché, y compris dans le cadre de la réunion des gouvernements et des autorités sur les semi-conducteurs (GAMS). || Commission européenne, entreprises || En cours, à renforcer

Aangevoerd wordt dat bovengenoemde regelingen subsidieregelingen daar zij een financiële bijdrage zijn van de Koreaanse overheid en een voordeel inhouden voor de Hynix Semiconductor Inc. Kennelijk komt alleen Hynix Semiconductor Inc. voor deze subsidies in aanmerking die daardoor specifiek zijn en tot compenserende maatregelen aanleiding geven.
Selon les allégations, les régimes susmentionnés constituent des subventions en ce sens qu'ils entraînent une contribution financière des pouvoirs publics coréens et confèrent un avantage à Hynix Semiconductor Inc.. Dans la mesure où ils sont prétendument limités exclusivement à Hynix Semiconductor Inc., ils sont spécifiques et passibles de mesures compensatoires.

(3) Design Right (Semiconductor Topographies) Order van 14 december 1993 en Design Right (Semiconductor Topographies) Regulations van 18 januari 1994.
(3) Ordre du 14 décembre 1993 sur le droit sur les dessins (topographies de semi-conducteurs) et réglementations sur le droit sur les dessins (topographies de semi-conducteurs) du 18 janvier 1994.