Vertaling van "Gedoopt silicium " (Nederlands → Frans) :

TERMINOLOGIE

gedoopt silicium
silicium dopé

negatief gedoopt silicium
silicium dopé de type n

met lithium gedoopte silicium- en germaniumhalfgeleider-detector
détecteurs solides au silicium et germanium dopés au lithium

silicium dioxide
silice

halfmetalen [ arsenicum | borium | selenium | silicium | tellurium ]
semi-métal [ arsenic | bore | sélénium | silicium | tellurium ]

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

a) monolithische geïntegreerde schakelingen, waarvan de elementen (dioden, transistors, weerstanden, condensatoren, onderlinge verbindingen, enz.) in de massa (hoofdzakelijk) of op het oppervlak van een halfgeleidermateriaal (bijvoorbeeld gedoopt silicium) tot stand zijn gebracht en een onverbrekelijk geheel vormen;
a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable;

8. Chemische elementen, zoals silicium en seleen (selenium), die met het oog op hun gebruik voor elektronische doeleinden gedoopt zijn, worden onder hoofdstuk 28 ingedeeld, indien zij ruw getrokken zijn of voorkomen in de vorm van cilinders of staven.
8. Les éléments chimiques, tels que le silicium et le sélénium, dopés en vue de leur utilisation en électronique restent classés dans le présent chapitre, à la condition qu'ils soient présentés sous des formes brutes de tirage, de cylindres ou de barres.

Overwegende echter dat sommige geïsoleerde chemische elementen en sommige geïsoleerde chemisch welbepaalde verbindingen van Hoofdstuk 28 zijn uitgezonderd indien zij bepaalde bewerkingen hebben ondergaan ; dat zulks bijvoorbeeld het geval is met kristallen van piëzo-elektrische stoffen welke - overeenkomstig de Toelichtingen van de Nomenclatuur van Brussel op post 38.19 ( bladzijde 7 van post 38.19 , punt 40 ) - in versneden , doch niet gemonteerde staat niet vallen onder Hoofdstuk 28 of 29 doch in dit geval moeten worden ingedeeld onder post 38.19 ; dat er aanleiding bestaat om gedoopt silicium , hetwelk is versneden , analoog te beschouwen ;
considérant cependant que des éléments chimiques isolés et des composés de constitution chimique définie sont exclus du chapitre 28 lorsqu'ils ont subi certaines ouvraisons ; qu'il en est ainsi, notamment, de cristaux en matières piézo-électriques lesquels, conformément aux notes explicatives de la Nomenclature de Bruxelles, nº 38.19 (page 38.19/7 paragraphe 40) ne relèvent pas, à l'état coupé mais non monté, des chapitres 28 ou 29 et sont, dans ce cas, à classer dans la position 38.19 ; qu'il y a lieu de considérer comme analogue le cas du silicium dopé, ayant subi un découpage;

Silicium ( polykristallijn of monokristallijn ) , in zeer zuivere staat , door toevoeging of door selectieve zuivering gedoopt , gebruikt bij de vervaardiging van diodes , transistors en andere dergelijke elementen met halfgeleiders , wordt ingedeeld in het gemeenschappelijk douanetarief :
Le silicium (polycristallin ou monocristallin), de très haute pureté dopé par addition ou par épuration sélective, utilisé dans la fabrication de diodes, de transistors et d'autres éléments similaires à semi-conducteurs relève dans le tarif douanier commun: a) de la sous-position 28.04:

Overwegende dat ter verzekering van de uniforme toepassing van de nomenclatuur van het gemeenschappelijk douanetarief bepalingen noodzakelijk zijn inzake de indeling van silicium ( polykristallijn of monokristallijn ) , in zeer zuivere staat , door additie of door selectieve zuivering gedoopt , en gebruikt bij de vervaardiging van diodes , transistors en andere dergelijke elementen met halfgeleiders ;
considérant que des dispositions sont nécessaires pour assurer l'application uniforme de la nomenclature du tarif douanier commun en vue de la classification du silicium (polycristallin ou monocristallin), de très haute pureté, dopé par addition ou par épuration sélective, utilisé dans la fabrication de diodes, de transistors et d'autres éléments similaires à semi-conducteurs;