Boost Your Productivity!Translate documents (Ms-Word, Ms-Excel, ...) faster and better thanks to artificial intelligence!
https://pro.wordscope.com
https://blog. wordscope .com
Champ interne de la base
Pile à champ interne
TEC à jonction
Transistor MOS
Transistor métal oxyde semiconducteur
Transistor organique
Transistor organique à effet de champ
Transistor à appauvrissement
Transistor à base de nanotubes
Transistor à base de nanotubes de carbone
Transistor à champ interne
Transistor à déplétion
Transistor à effet de champ MOS
Transistor à effet de champ métal-oxyde semiconducteur
Transistor à effet de champ organique
Transistor à effet de champ à appauvrissement
Transistor à effet de champ à déplétion
Transistor à effet de champ à jonction
Transistor à effet de champ à jonction de grille
Transistor à effet de champ à jonctions
Transistor à effet de champ à nanotubes
Transistor à effet de champ à nanotubes de carbone
Transistor à effet de champ à oxyde métallique
Transistor à gradient de champ
Transistor à jonction à effet de champ
Transistor à nanotubes
Transistor à nanotubes de carbone

Vertaling van "transistor à champ interne " (Frans → Engels) :

TERMINOLOGIE
transistor à champ interne | transistor à gradient de champ

graded base transistor




transistor à effet de champtal-oxyde semiconducteur [ transistor MOS | transistor à effet de champ MOS | transistor métal oxyde semiconducteur | transistor à effet de champ à oxyde métallique ]

metal-oxide semiconductor field-effect transistor [ MOSFET | metal oxide semiconductor transistor | MOS transistor ]


transistor à nanotubes de carbone | transistor à nanotubes | transistor à base de nanotubes de carbone | transistor à base de nanotubes | transistor à effet de champ à nanotubes de carbone | transistor à effet de champ à nanotubes

carbon nanotube transistor | CNT transistor | nanotube transistor | carbon nanotube-based transistor | nanotube-based transistor | carbon nanotube field-effect transistor | CNTFET | CNFET


transistor à effet de champ à déplétion [ transistor à effet de champ à appauvrissement | transistor à déplétion | transistor à appauvrissement ]

depletion-mode field-effect transistor [ depletion-mode FET ]


transistor organique à effet de champ | transistor à effet de champ organique | transistor organique

organic field-effect transistor | OFET | organic FET | organic transistor


transistor à effet de champ à jonctions [ TEC,JFET | transistor à effet de champ à jonction ]

junction field-effect transistor [ JFET | junction field effect transistor | junction FET ]


champ interne de la base

built-in driftfield | internal drift field


TEC à jonction | transistor à effet de champ à jonction | transistor à effet de champ à jonction de grille | transistor à jonction à effet de champ

junction field-effect transistor | Junction Gate Field Effect Transistor | junction-gate field-effect transistor | JFET [Abbr.] | JUGFET [Abbr.]
IN-CONTEXT TRANSLATIONS
Les modifications principales substantielles visent à clarifier le champ d'application des RU CUI en introduisant à l'article 3 une définition du «trafic ferroviaire international», signifiant «le trafic qui nécessite l'utilisation d'un sillon international ou de plusieurs sillons nationaux successifs situés dans au moins deux États membres et coordonnés par les gestionnaires d'infrastructure concernés», et en modifiant l'article 1er (Champ d'application) en conséquence, tout en conservant le lien avec les RU CIM et CIV.

The main substantial modification aim at clarifying the scope of the CUI UR by introducing a definition in Article 3 of ‘international railway traffic’ to mean ‘traffic which requires the use of an international train path or several successive national train paths situated in at least two States and coordinated by the infrastructure managers concerned’, and by amending Article 1 (Scope) accordingly, while keeping the link with CIV and CIM UR.


L'alternateur du demandeur offre un rendement accru, comparé à celui de l'alternateur de base, car il réduit les trois pertes suivantes: rectification des pertes en optimalisant la rectification grâce au module MOSFET, à savoir en utilisant un transistor à effet de champ à oxydes métalliques; les pertes du stator en fer en utilisant un fin noyau stratifié composé d'acier magnétique, et les pertes du stator en cuivre en utilisant un «segment conducteur» avec un facteur spatial plus élevé et une tête de bobine plus courte.

The Applicant's alternator has an increased efficiency compared to the baseline alternator by reducing the following three losses: rectification losses by optimising the rectification by the use of a ‘MOSFET module’, i.e. by a use of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor; stator iron losses by the use of thin laminated core made by magnetic steel, and stator copper losses by the use of a ‘segment conductor’, which has higher space factor and shorter coil end.


et de transistors discrets à effet de champ à structure métal-oxyde (MOSFET) pour le contrôle de moteurs à courant continu dans les automobiles,

also with discrete Metal Oxide Field Effect Transistors (MOSFET) for controlling DC motors in cars


(80)La Commission devrait être habilitée à adopter des actes délégués, conformément à l’article 290 du traité sur le fonctionnement de l’Union européenne, aux fins suivantes: préciser la définition des «fonctions critiques» et des «activités fondamentales»; préciser les circonstances dans lesquelles la défaillance d'un établissement est avérée ou prévisible; préciser les circonstances dans lesquelles il y a lieu de recourir à l’instrument de séparation des actifs; préciser les engagements exclus du champ d’application de l’instrument de ren ...[+++]

(80)The Commission should be empowered to adopt delegated acts in accordance with Article 290 of the Treaty on the Functioning of the European Unionin order to: specifythe definitions of "critical functions" and "core business lines", specify the circumstances when an institution is failing or likely to fail specify the circumstances when the asset separation tool should be applied specify the liabilities excluded from the scope of application of the bail-in tool, specify the circumstances when exclusion from the bail-in tool is necessary to ensure the continuation of critical operations and core business lines, specify the criteria for ...[+++]


For more results, go to https://pro.wordscope.com to translate your documents with Wordscope Pro!
Les VA pour une exposition de membres sont dérivées des VLE relatives aux effets sur la santé pour un champ électrique interne lié à une stimulation électrique des tissus à l’intérieur des membres en tenant compte du fait que le champ magnétique est couplé plus faiblement aux membres qu’au corps tout entier.

ALs for exposure of limbs are derived from the health effects ELVs for internal electric field related to electric stimulation of the tissues in limbs by taking into account that the magnetic field is coupled more weakly to the limbs than to the whole body.


Les VA basses (tableau B1) pour un champ électrique externe sont fondées sur le maintien du champ électrique interne sous les VLE (tableaux A2 et A3) et la limitation des décharges d’étincelles dans l’environnement de travail.

Low ALs (Table B1) for external electric field are based on limiting the internal electric field below the ELVs (Tables A2 and A3) and limiting spark discharges in the working environment.


Pour les référentiels de coordonnées tridimensionnels et bidimensionnels et pour la composante horizontale des référentiels de coordonnées combinés utilisés aux fins de la mise à disposition de séries de données géographiques, le datum employé est celui du Système de référence terrestre européen 1989 (European Terrestrial Reference System - ETRS89), dans les zones situées dans son champ d'application géographique, ou, dans les zones situées hors du champ d'application géographique de l'ETRS89, le datum du Système de référence terrestre international (International Terrestrial Reference System - ITRS) ou de tout autre référentiel de coord ...[+++]

For the three-dimensional and two-dimensional coordinate reference systems and the horizontal component of compound coordinate reference systems used for making spatial data sets available, the datum shall be the datum of the European Terrestrial Reference System 1989 (ETRS89) in areas within its geographical scope, or the datum of the International Terrestrial Reference System (ITRS) or other geodetic coordinate reference systems compliant with ITRS in areas that are outside the geographical scope of ETRS89.


2. Une procédure de contrôle de la conformité est instaurée afin d'exclure du champ de la législation maritime communautaire toute modification d'un instrument international dans les seuls cas où, sur la base d'une évaluation effectuée par la Commission, cette modification risque manifestement, dans le cadre du champ d'application des règlements ou des directives visés à l'article 2, point 2, d'abaisser les niveaux de la sécurité maritime, de la prévention de la pollution par les navires ou de la protection des conditions de vie et de travail à bord établis par la législation maritime communautaire, ou d'être incompatible avec celle-ci.

2. A conformity checking procedure is hereby established in order to exclude from the scope of the Community maritime legislation any amendment to an international instrument only if, on the basis of an evaluation by the Commission, there is a manifest risk that the international amendment, within the scope of the Regulations or the Directives referred to in Article 2(2), will lower the standard of maritime safety, of prevention of pollution from ships or of protection of shipboard living and working conditions established by Community maritime legislation, or be incompatible with the latter.


A) "Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur", les dispositifs de l'espèce dont le fonctionnement repose sur la variation de la résistivité sous l'influence d'un champ électrique;

(A) "Diodes, transistors and similar semiconductor devices" are semiconductor devices the operation of which depends on variations in resistivity on the application of an electric field.


5. Au sens des nos 85.41 et 85.42, on considère comme: A) «Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur», les dispositifs de l'espèce dont le fonctionnement repose sur la variation de la résistivité sous l'influence d'un champ électrique;

5. For the purposes of headings Nos 85.41 and 85.42: (A) "Diodes, transistors and similar semiconductor devices" are semiconductor devices the operation of which depends on variations in resistivity on the application of an electric field;




datacenter (12): www.wordscope.be (v4.0.br)

transistor à champ interne ->

Date index: 2024-02-10
w