Vertaling van "circuit logique dynamique à mos " (Frans → Engels) :

TERMINOLOGIE

circuit logique dynamique à MOS
dynamic MOS logic circuit | MOS dynamic logic circuit

circuit logique dynamique à quatre phases
4-phase dynamic logic circuit | four-phase dynamic logic circuit

circuit logique à diodes et transistors | circuit à diodes et transistors | logique à diodes et transistors | logique diode-transistor | circuit DTL
Diode Transistor Logic | DTL | diode-transistor logic

logique à grande immunité au bruit [ LGIB | circuit logique à marge d'immunité aux bruits élevée ]
high noise immunity logic

circuit logique à couplage émetteur [ circuit logique E2CL ]
emitter-emitter coupled logic

technologie des circuits intégrés [ technologie des circuits logiques transistorisés | technologie à semi-conducteur | technologie à semi-conducteurs ]
solid logic technology [ S.L.T. | solid-logic technology ]

circuit reconfigurable | circuit logique reconfigurable | circuit à configurations multiples
reconfigurable circuit

circuit à transistors Mos complémentaires | circuit « C. Mos »
complementary metal oxide semiconductor circuit | C. Mos circuit

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).
The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

Les produits qui ont fait l'objet de l'enquête sont certains types de micro-circuits électroniques appelés mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM), qu'ils aient la forme de disques ou de micro-plaquettes usinés, qu'ils soient assemblés et testés, ou transformés en modules de différentes configurations; ils sont réalisés selon toutes les variantes de la technologie MOS et dans toutes les densités, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration et leur boîtier.
The products investigated are certain types of microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) either in - processed wafer of die form, or - assembled and tested, or in - multicombinational forms such as DRAM-modules, of all MOS technologies and all densities irrespective of differences in configuration, package or access time.