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Blocage d'un transistor de puissance
Carte de panneau de transistor de puissance
Diode redresseuse de puissance au silicium
Redresseur à haute puissance au silicium
Transistor de puissance
Transistor de puissance au germanium
Transistor de puissance au silicium
Transistor de puissance miniature

Vertaling van "Transistor de puissance au silicium " (Frans → Engels) :

TERMINOLOGIE
transistor de puissance au silicium

silicon power transistor


diode redresseuse de puissance au silicium

silicon power rectifier diode


redresseur à haute puissance au silicium

silicon high power rectifier


transistor de commutation au silicium à double diffusion

double-diffused silicon switching transistor




transistor de puissance au germanium

germanium power transistor


blocage d'un transistor de puissance

blocking of a power transistor


carte de panneau de transistor de puissance

transistor power panel card


transistor de puissance miniature

midget power transistor
IN-CONTEXT TRANSLATIONS
Les transistors de puissance, qui amplifient la puissance des signaux RF, sont principalement utilisés dans les stations de base pour télécommunications mobiles (3G, 4G, LTE), ainsi que dans le matériel de radiotélédiffusion, les fours à micro-ondes, la radio-téléphonie mobile et les équipements de contrôle du trafic aérien.

RF power transistors make RF signals more powerful and are predominantly used in base stations for mobile telecommunications (3G, 4G, LTE), as well as in radio and television broadcasting, microwave ovens, mobile radios and air traffic control equipment.


La Commission a constaté que les gammes de semi-conducteurs proposées par les deux entreprises étaient en majeure partie complémentaires, à l'exception des transistors de puissance radiofréquences (RF).

The Commission found that the two companies’ semiconductor product portfolios were mostly complementary, except for radio frequency (“RF”) power transistors.


Ces engagements auront pour effet de supprimer totalement le chevauchement existant entre les activités «transistors de puissance radiofréquences» de NXP et de Freescale et, partant, de résoudre les problèmes de concurrence constatés par la Commission.

These commitments completely remove the overlap between the RF power transistor activities of NXP and Freescale, and therefore adequately address the competition concerns identified by the Commission.


Les engagements proposés par NXP permettront à l'acheteur de l'activité cédée de reprendre le rôle joué jusqu'ici par NXP sur le marché des transistors de puissance radiofréquences et de maintenir ainsi une concurrence efficace.

The commitments offered by NXP will allow the purchaser of the divested business to replicate NXP's previous role in the RF power transistors market thereby maintaining effective competition.


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La Commission a constaté que NXP et Freescale étaient des concurrents proches et les deux principaux acteurs du marché des transistors de puissance RF, en particulier ceux utilisés dans les stations de base pour les télécommunications mobiles.

The Commission found that NXP and Freescale are the two largest players and close competitors in the RF power transistors market, in particular those used in base stations for mobile telecommunications.


Une deuxième piste vise à diversifier les fonctions d'une puce en y intégrant des éléments à l'échelle micrométrique comme des transistors de puissance et des interrupteurs électromécaniques.

A second track aims at diversifying the functions of a chip by integrating micro-scale elements such as power transistors and electro-mechanical switches.


a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable;

(a) monolithic integrated circuits in which the circuit elements (diodes, transistors, resistors, capacitors, interconnections, etc.) are created in the mass (essentially) and on the surface of a semiconductor material (doped silicon, for example) and are inseparably associated;


B) «Circuits intégrés et micro-assemblages électroniques»: a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable ;

(B) "Electronic integrated circuits and microassemblies" are: (a) Monolithic integrated circuits in which the circuit elements (diodes, transistors, resistors, capacitors, interconnections, etc.) are created in the mass (essentially) and on the surface of a semiconductor material (doped silicon, for example) and are inseparably associated ;


considérant que des dispositions sont nécessaires pour assurer l'application uniforme de la nomenclature du tarif douanier commun en vue de la classification du silicium (polycristallin ou monocristallin), de très haute pureté, dopé par addition ou par épuration sélective, utilisé dans la fabrication de diodes, de transistors et d'autres éléments similaires à semi-conducteurs;

Whereas provision must be made to ensure uniform application of the nomenclature of the Common Customs Tariff with a view to the classification of silicon (polycrystalline or monocrystalline) of very high purity, doped by addition or by selective purification, used in the manufacture of diodes, transistors and other similar semi-conductor elements;


Le silicium (polycristallin ou monocristallin), de très haute pureté dopé par addition ou par épuration sélective, utilisé dans la fabrication de diodes, de transistors et d'autres éléments similaires à semi-conducteurs relève dans le tarif douanier commun: a) de la sous-position 28.04:

Silicon (polycrystalline or monocrystalline) of very high purity, doped by addition or by selective purification, used in the manufacture of diodes, transistors and other similar semiconductor elements, shall be classified under: (a) Common Customs Tariff subheading No 28.04:




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Transistor de puissance au silicium ->

Date index: 2022-09-16
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