Traduction de «Circuit de pilotage des transistors » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE

circuit de pilotage des transistors
transistor driver

circuit logique à diodes et transistors | circuit à diodes et transistors | logique à diodes et transistors | logique diode-transistor | circuit DTL
Diode Transistor Logic | DTL | diode-transistor logic

circuit de pilotage de ligne
line driver circuit

circuit de pilotage de module mémoire
storage-module-drive | SMD [Abbr.]

circuit d'attaque [ circuit de pilotage ]
driver [ driving circuit | driver circuit ]

circuit de pilotage [ circuit pilote ]
pilot circuit

circuit de pilotage
pilot circuit

circuit MOS [ circuit intégré MOS | circuit intégré à transistors MOS ]
MOS circuit [ MOS integrated circuit | MOS IC ]

transistor pour circuits couches
transistor for film circuits

composant électronique [ circuit intégré | composant de mémoire | microprocesseur | puce électronique | semi-conducteur | transistor | tube électronique ]
electronic component [ electronic tube | integrated circuit | microchip | microprocessor | semi-conductor | transistor ]

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.
[16] The observation made in 1965 by Gordon Moore, co-founder of Intel, about the speed at which the density of transistors in integrated circuits was increasing.

Pour l’application de la présente note, « éléments actifs » s’entend des diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41 et des circuits de la position 85.42 et des micro-assemblages électroniques des positions 85.43 ou 85.48.
For purposes of this Note, “active elements” means diodes, transistors and semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading 85.41 and integrated circuits of heading 85.42 and microassemblies of heading 85.43 or 85.48.

Aux fins de la présente note, « élément actif » s’entend de toute diode, tout transistor et tout dispositif similaire à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41 et des circuits intégrés et micro-assemblages de la position 85.42.
For purposes of this Note, “active elements” means diodes, transistors and similar semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading 85.41 and integrated circuits and microassemblies of heading 85.42.

Pour l’application de la présente note, « élément actif » s’entend de toute diode, tout transistor et tout dispositif similaire à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41, et des circuits intégrés et micro-assemblages de la position 85.42.
For purposes of this note, “active elements” means diodes, transistors and similar semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading No. 85. 41, and integrated circuits and microassemblies of heading No. 85. 42.

Le nombre de transistors pouvant être placés sur un circuit intégré devrait aller en augmentant de façon exponentielle et doubler tous les deux ans environ (suivant la loi dite de Moore).
The number of transistors that can be placed on an integrated circuit is expected to increase exponentially, doubling approximately every two years (so-called 'Moore's Law').

Pour rénover un peu ce circuit fermé, certains fédéralistes proposent une solution de pure façade : une convention inspirée de celle qui a déjà préparé la charte des droits fondamentaux, composée de créatures en majorité dociles et coiffée, pour plus de sûreté, par un groupe de pilotage ou un groupe de rédaction qui conduirait le débat là où les institutions veulent qu'il aille : vers davantage de fédéralisme.
To bring this closed circuit a bit more up to date, certain federalists are proposing a solution which is a mere façade: a convention inspired by the one which has already prepared the Charter of Fundamental Rights. This convention is composed, for the most part, of docile creatures and headed, for more security, by a steering group or a drafting group to lead the debate in the direction the institutions want it to take: towards more federalism.

Cette année, les prix Descartes ont récompensé des travaux sur le développement de nouvelles méthodes étudiant les réactions chimiques cinétiques à très faible température, des recherches sur la synthèse et l'application d'une nouvelle famille de transistors polymériques conçus pour les circuits électroniques et la découverte du lien entre les processus qui réparent le matériel génétique et les moyens de transformer le matériel génétique en protéines.
This year, the Descartes prizes were awarded for research in developing new methods of studying chemical reaction kinetics at very low temperatures, for the synthesis and application of a new falily of polymeric self-oriented transistors for electronic circuits and for discovering the link between the processes that repair genetic material and the means by which genetic material is turned into proteins.

b) les circuits intégrés hybrides réunissant, de façon pratiquement indissociable, sur un même substrat isolant (verre, céramique, etc.) des éléments passifs (résistances, capacités, interconnexions, etc.), obtenus par la technologie des circuits à couche mince ou épaisse et des éléments actifs (diodes, transistors, circuits intégrés monolithiques, etc.) obtenus par la technologie des semi-conducteurs.
(b) hybrid integrated circuits in which passive elements (resistors, capacitors, interconnections, etc.), obtained by thin-or thick-film technology, and active elements (diodes, transistors, monolithic integrated circuits, etc.), obtained by semiconductor technology, are combined to all intents and purposes indivisibly, on a single insulating substrate (glass, ceramic, etc.).

b) les circuits intégrés hybrides réunissant, de façon pratiquement indissociable, sur un même substrat isolant (verre, céramique, etc.) des éléments passifs (résistances, capacités, interconnexions, etc.), obtenus par la technologie des circuits à couche mince ou épaisse et des éléments actifs (diodes, transistors, circuits intégrés monolithiques, etc.) obtenus par la technologie des semi-conducteurs.
(b) Hybrid integrated circuits in which passive elements (resistors, capacitors, interconnections, etc.), obtained by thin-or thick-film technology, and active elements (diodes, transistors, monolithic integrated circuits, etc.), obtained by semiconductor technology, are combined to all intents and purposes indivisibly, on a single insulating substrate (glass, ceramic, etc.).

B) «Circuits intégrés et micro-assemblages électroniques»: a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable ;
(B) "Electronic integrated circuits and microassemblies" are: (a) Monolithic integrated circuits in which the circuit elements (diodes, transistors, resistors, capacitors, interconnections, etc.) are created in the mass (essentially) and on the surface of a semiconductor material (doped silicon, for example) and are inseparably associated ;