Vertaling van "CI à transistors " (Frans → Engels) :

TERMINOLOGIE

CI à transistors
transistor array IC

logique transistor-transistor | LTT | logique transistor transistor | LTT | logique à transistors couplés | logique TTL | technologie TTL
transistor-transistor logic | TTL | T2L | transistor transistor logic

logique à transistors et transistors [ T2L,TTL | logique TTL | logique transistors-transistors ]
transistor-transistor logic

amplificateur à transistors [ amplificateur de puissance à transistors ]
transistor amplifier [ transistor power amplifier ]

circuit chopper à transistor à effet de champ | circuit chopper
chopper transistor circuit with field effect | chopper transistor circuit

circuit à transistors Mos complémentaires | circuit « C. Mos »
complementary metal oxide semiconductor circuit | C. Mos circuit

logique à transistors multi-émetteurs et couplage à transistors | logique transistor-transistor
transistor-transistor-logic | TTL [Abbr.]

transistor à jonction alliée | transistor allié | transistor fabriqué par alliage
alloy transistor | alloyed transistor | alloy-junction transistor

TEC à jonction | transistor à effet de champ à jonction | transistor à effet de champ à jonction de grille | transistor à jonction à effet de champ
junction field-effect transistor | Junction Gate Field Effect Transistor | junction-gate field-effect transistor | JFET [Abbr.] | JUGFET [Abbr.]

composant électronique [ circuit intégré | composant de mémoire | microprocesseur | puce électronique | semi-conducteur | transistor | tube électronique ]
electronic component [ electronic tube | integrated circuit | microchip | microprocessor | semi-conductor | transistor ]

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.
[16] The observation made in 1965 by Gordon Moore, co-founder of Intel, about the speed at which the density of transistors in integrated circuits was increasing.

Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur; dispositifs photosensibles à semi-conducteur, y compris les cellules photovoltaïques même assemblées en modules ou constituées en panneaux (sauf génératrices photovoltaïques); diodes émettrices de lumière; cristaux piézo-électriques montés, et leurs parties
Diodes, transistors and similar semiconductor devices; photosensitive semiconductor devices, incl. photovoltaic cells whether or not assembled in modules or made up into panels (excl. photovoltaic generators); light emitting diodes, mounted piezoelectric crystals; parts thereof

Le nombre de transistors pouvant être placés sur un circuit intégré devrait aller en augmentant de façon exponentielle et doubler tous les deux ans environ (suivant la loi dite de Moore).
The number of transistors that can be placed on an integrated circuit is expected to increase exponentially, doubling approximately every two years (so-called 'Moore's Law').

b. dispositifs semi-conducteurs à hétérostructure tels que les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT), transistors hétéro-bipolaires (HBT), dispositifs à puits quantique ou à super-réseaux;
b. Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;

3. transistors hyperfréquences prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 31 GHz;
3. Microwave transistors rated for operation at frequencies exceeding 31 GHz;

Cette année, les prix Descartes ont récompensé des travaux sur le développement de nouvelles méthodes étudiant les réactions chimiques cinétiques à très faible température, des recherches sur la synthèse et l'application d'une nouvelle famille de transistors polymériques conçus pour les circuits électroniques et la découverte du lien entre les processus qui réparent le matériel génétique et les moyens de transformer le matériel génétique en protéines.
This year, the Descartes prizes were awarded for research in developing new methods of studying chemical reaction kinetics at very low temperatures, for the synthesis and application of a new falily of polymeric self-oriented transistors for electronic circuits and for discovering the link between the processes that repair genetic material and the means by which genetic material is turned into proteins.

Le silicium (polycristallin ou monocristallin), de très haute pureté dopé par addition ou par épuration sélective, utilisé dans la fabrication de diodes, de transistors et d'autres éléments similaires à semi-conducteurs relève dans le tarif douanier commun: a) de la sous-position 28.04:
Silicon (polycrystalline or monocrystalline) of very high purity, doped by addition or by selective purification, used in the manufacture of diodes, transistors and other similar semiconductor elements, shall be classified under: (a) Common Customs Tariff subheading No 28.04:

considérant que des dispositions sont nécessaires pour assurer l'application uniforme de la nomenclature du tarif douanier commun en vue de la classification du silicium (polycristallin ou monocristallin), de très haute pureté, dopé par addition ou par épuration sélective, utilisé dans la fabrication de diodes, de transistors et d'autres éléments similaires à semi-conducteurs;
Whereas provision must be made to ensure uniform application of the nomenclature of the Common Customs Tariff with a view to the classification of silicon (polycrystalline or monocrystalline) of very high purity, doped by addition or by selective purification, used in the manufacture of diodes, transistors and other similar semi-conductor elements;