Vertaling van "Accès semi-aléatoire " (Frans → Engels) :

TERMINOLOGIE

accès semi-aléatoire [ accès semi-séquentiel ]
semirandom access [ semi-random access ]

polarisation semi-aléatoire
semi-random polarization

accès séquentiel aléatoire
random sequential access

algorithme d'accès multiple aléatoire
random multiple-access algorithm [ RMA algorithm ]

accès aléatoire avec écoute de la porteuse et révolution des collisions | accès multiple avec détection de porteuse et prévention des collisions | accès multiple avec écoute de la porteuse et collision contrôlée | accès multiple par détection de porteuse et évitement de collision | accès multiple sans collision | CSMA avec résolution des collisions
| CSMA/CA

accès aléatoire | accès au hasard | accès imprévu | libre accès
direct access | random access | real time access

accès direct | accès sélectif | accès aléatoire
random access

fichier à accès direct | fichier direct | fichier à accès aléatoire | fichier à accès sélectif | fichier organisé par adresses
direct access file | direct file | random access file | random file

mémoire vive | MEV | mémoire RAM | RAM | mémoire à accès aléatoire | mémoire à accès sélectif | mémoire à accès direct | mémoire de lecture-écriture
random access memory | RAM | random access storage | random access store | read/write memory

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de la République de Corée.
The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.

Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).
The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

Le projet vise notamment la construction d'une nouvelle usine de production de DRAMs (mémoires dynamiques à accès aléatoire - des semi-conducteurs qui stockent des données binaires) avec une capacité de stockage de 512 megabit et au-delà.
The project comprises the construction of a new plant producing DRAMs (Dynamic Random Access Memory - semiconductors that store binary data) with a storage capability of 512 megabit and beyond.