Traduction de «statischer schreib-lesespeicher wahlfreiem zugriff » (Allemand → Néerlandais) :

TERMINOLOGIE

statischer Ram | Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff | statischer Speicher | SRAM [Abbr.]
statisch willekeurig toegankelijk lees/schrijfgeheugen | SRAM [Abbr.]

Pseudo-statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff | PS-RAM [Abbr.]
pseudo-statisch willekeurig toegankelijk lees/schrijfgeheugen | PS-RAM [Abbr.]

statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle
statisch willekeurig toegankelijk lees-/schrijfgeheugen met een dubbele in-/uitgang

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

Der Rat hat eine Verordnung zur Aufhebung des Ausgleichszolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea angenommen (Dok. 7471/08).
De Raad heeft een verordening aangenomen tot intrekking van het compenserend recht op bepaalde micro-elektronische schakelingen, DRAM's (Dynamic Random Access Memories) genaamd, van oorsprong uit de Republiek Korea (7471/08).

Der Rat nahm eine Verordnung zur Änderung der Verordnung 1480/2003 zur Einführung eines endgültigen Ausgleichszolls und zur endgültigen Vereinnahmung des vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea an (Dok. 7246/06).
De Raad heeft een verordening aangenomen tot wijziging van Verordening (EG) nr.1480/2003 tot instelling van een definitief compenserend recht op de invoer van bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's, uit de Republiek Korea en tot definitieve inning van het voorlopige compenserende recht (doc. 7246/05).

Die Überprüfung betrifft bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea (nachstehend „betroffene Ware“ genannt).
Het onderzoek heeft betrekking op de micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd, vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden en varianten, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea.

Mit der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 (3) (nachstehend „endgültige Verordnung“ genannt) führte der Rat auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd (nachstehend „Samsung“ genannt), für den ein Nullzollsatz festgesetzt wurde, einen endgültigen Ausgleichszoll in Höhe von 34,8 % ein.
Bij Verordening (EG) nr. 1480/2003 (3) (hierna „de definitieve verordening” genoemd) heeft de Raad een definitief compenserend recht van 34,8 % ingesteld op bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories) uit de Republiek Korea, vervaardigd door andere ondernemingen dan Samsung Electronics Co. Ltd (hierna „Samsung” genoemd), waarvoor een recht van 0 % werd vastgesteld.

Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea.
De herbeoordeling heeft betrekking op hetzelfde product als het oorspronkelijke onderzoek, namelijk micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories), van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte „wafers” of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider-(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame, enz., uit de Republiek Korea.

Am 3. August 2005 verabschiedete das Streitbeilegungsgremium (DSB) der Welthandelsorganisation (WTO) einen Bericht zur Streitsache „Europäische Gemeinschaften — Ausgleichsmaßnahmen gegenüber dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (DRAMs) aus Korea“ (5).
Op 3 augustus 2005 heeft het Orgaan voor Geschillenbeslechting van de Wereldhandelsorganisatie (WTO) een rapport van het Panel goedgekeurd in de zaak „Europese Gemeenschappen - compenserende maatregelen ten aanzien van micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's in de vorm van chips uit Korea” (5).

Der Rat hat heute eine Verordnung zur Einführung eines endgültigen Ausgleichszolls und zur endgültigen Vereinnahmung des vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea (Dok. 11806/03) angenommen; die französische und die niederländische Delegation hatten gegen die Annahme gestimmt.
De Raad heeft heden , met stemmen tegen van de Franse en de Nederlandse delegatie, een verordening aangenomen tot instelling van een definitief compenserend recht op de invoer van bepaalde micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd (dynamic random access memories), uit de Republiek Korea en tot definitieve inning van het voorlopige compenserende recht (doc. 11806/03).