Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea.
De herbeoordeling heeft betrekking op hetzelfde product als het oorspronkelijke onderzoek, namelijk micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories), van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte „wafers” of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider-(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame, enz., uit de Republiek Korea.
