Traduction de «plasma depositing and etching » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE

plasma depositing and etching | plasma-assisted depositing and etching
dépôt et gravure activés par plasma

reactive ion deposition and etching | RIDE,reactive ion processes are an extension of sputtering processes in that the inert gas used for generating the plasma is replaced by a gas that reacts with the material to be deposited or etched [Abbr.]
dépôt et gravure ionique réactifs

Plasma Deposition Technology for Magnetic Recording Thin Film Media
Technologie du Dépôt par plasma pour les supports à couche mince pour enregistrement magnétique

10. Fluorinated greenhouse gases placed on the market for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector shall be labelled with an indication that the contents of the container may only be used for that purpose.
10. Les gaz à effet de serre fluorés mis sur le marché pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l’industrie des semi-conducteurs sont munis d’une étiquette indiquant que les substances présentes dans le conteneur peuvent uniquement être utilisées à cette fin.

hydrofluorocarbons supplied directly by a producer or an importer to an undertaking using it for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector.
aux hydrofluorocarbones fournis directement par un producteur ou un importateur à une entreprise qui les utilise pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l’industrie des semi-conducteurs.

the quantities of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has placed on the market in the Union, specifying separately quantities placed on the market for feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector.
les quantités de chaque substance énumérée à l’annexe I et, le cas échéant, à l’annexe II, qu’il a mises sur le marché dans l’Union, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d’inhalateurs doseurs destinés à l’administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l’industrie des semi-conducteurs.

the quantity of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has imported into the Union, identifying the main categories of application in which the substance is used, specifying separately quantities placed on the market for destruction, feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector.
les quantités de chaque substance énumérée à l’annexe I et, le cas échéant, à l’annexe II, qu’il a importée dans l’Union, en indiquant les principales catégories d’applications dans lesquelles la substance est utilisée, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour destruction, utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d’inhalateurs doseurs destinés à l’administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l’industrie des semi-conducteurs.

the quantity of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has imported into the Union, identifying the main categories of application in which the substance is used, specifying separately quantities placed on the market for destruction, feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector;
les quantités de chaque substance énumérée à l'annexe I et, le cas échéant, à l'annexe II, qu'il a importée dans l'Union, en indiquant les principales catégories d'applications dans lesquelles la substance est utilisée, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour destruction, utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d'inhalateurs doseurs destinés à l'administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l'industrie des semi-conducteurs;

the quantities of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has placed on the market in the Union, specifying separately quantities placed on the market for feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector;
les quantités de chaque substance énumérée à l'annexe I et, le cas échéant, à l'annexe II, qu'il a mises sur le marché dans l'Union, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d'inhalateurs doseurs destinés à l'administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l'industrie des semi-conducteurs;

hydrofluorocarbons supplied directly by a producer or an importer to an undertaking using it for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector;
aux hydrofluorocarbones fournis directement par un producteur ou un importateur à une entreprise qui les utilise pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l'industrie des semi-conducteurs;

10. Fluorinated greenhouse gases placed on the market for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector shall be labelled with an indication that the contents of the container may only be used for that purpose.
10. Les gaz à effet de serre fluorés mis sur le marché pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l'industrie des semi-conducteurs sont munis d'une étiquette indiquant que les substances présentes dans le conteneur peuvent uniquement être utilisées à cette fin.

CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) comprend les procédés suivants: dépôt hors caisse à flux de gaz dirigé, dépôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire, dépôt thermique par nucléation contrôlée (CNTD), dépôt en phase vapeur par procédé chimique amélioré par plasma ou assisté par plasma.