Traduction de «complementary metal oxide silicon » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE

complementary metal oxide silicon | CMOS [Abbr.]
métal-oxyde-silicium complémentaire | CMOS [Abbr.]

metal-oxide-semiconductor transistor | metal-oxide-silicon transistor | MOS transistor | MOST [Abbr.]
transistor MOS

CMOS logic | complementary metal-oxide-semiconductor logic
logique CMOS

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

The aim of the programme is to develop new technologies for the design and production of the next generation of integrated circuits and to strengthen the structure of the European micro- and nanoelectronics industry by positioning the Crolles-Grenoble cluster as a global leader in the field of advanced CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) technology.
Ce programme vise à développer de nouvelles technologies pour la conception et la production des prochaines générations de circuits intégrés, ainsi qu’à renforcer la structuration de la filière européenne en micro-nanoélectronique, en positionnant le cluster de Crolles - Grenoble comme un leader au niveau mondial dans le domaine des technologies CMOS ("Complementary metal-oxide-semiconductor") digitales avancées.

with a single Charge-Couple-Device (CCD) or Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) sensor,
équipée d'un unique dispositif à transfert de charge (CCD) ou d'un capteur d'images à semi-conducteurs à oxyde de métal (MOS) supplémentaire

with a single Charge-Couple-Device (CCD) or Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS) sensor,
équipée d'un unique dispositif à transfert de charge (CCD) ou d'un capteur d'images à semiconducteurs à oxyde de métal (MOS) supplémentaire,

[12] Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) is the standard technology for integrated circuits in the "more Moore" track
[12] La technologie métal-oxyde-semi-conducteur complémentaire (CMOS) est la technologie standard pour les circuits intégrés de la piste «more Moore».

non-metals, metal oxides or other inorganic compounds such as calcium carbide, silicon, silicon carbide.
non-métaux, oxydes métalliques ou autres composés inorganiques, tels que carbure de calcium, silicium, carbure de silicium.

(v) Non-metals, metal oxides or other inorganic compounds such as calcium carbide, silicon, silicon carbide
v) non-métaux, oxydes métalliques ou autres composés inorganiques, tels que carbure de calcium, silicium, carbure de silicium

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).
Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.
Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de la République de Corée.

(v) Non-metals, metal oxides or other inorganic compounds such as calcium carbide, silicon, silicon carbide
(v) non-métaux, oxydes métalliques ou autres composés inorganiques, tels que carbure de calcium, silicium, carbure de silicium