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Boron coated semiconductor detector
Boron-coated semiconductor detector
Compound semiconductor
Compound semiconductor material
Direct semiconductor
Direct-band gap semiconductor
Direct-gap material
Direct-gap semiconductor
Lithium coated semiconductor detector
Photovoltaic semiconductor material
Produce semiconductor crystals
SEMI
Semiconducting material
Semiconductor Equipment and Materials Institute
Semiconductor Equipment and Materials International
Semiconductor crystal producing
Semiconductor crystals making
Semiconductor crystals producing
Semiconductor material
Semiconductor material gauger
TFT semiconductor
Thin-film-transistor material

Traduction de «Semiconductor material » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
semiconductor material gauger

étalonneur de matériaux à semi-conducteurs [ étalonneuse de matériaux à semi-conducteurs ]




semiconducting material | semiconductor material

matériau semi-conducteur


compound semiconductor | compound semiconductor material

semiconducteur composé


photovoltaic semiconductor material

matériau semi-conducteur photovoltaïque


Semiconductor Equipment and Materials International [ SEMI | Semiconductor Equipment and Materials Institute ]

Semiconductor Equipment and Materials International [ SEMI | Semiconductor Equipment and Materials Institute ]


direct-band gap semiconductor | direct-gap semiconductor | direct semiconductor | direct-gap material

semi-conducteur à structure de bande directe | semiconducteur à structure de bande directe | semiconducteur à transition directe | semi-conducteur à transition directe | semiconducteur à transitions directes | semiconducteur direct | semi-conducteur direct


TFT semiconductor | thin-film-transistor material

semiconducteur pour transistor à couche mince


semiconductor crystals making | semiconductor crystals producing | produce semiconductor crystals | semiconductor crystal producing

produire des cristaux pour semi-conducteurs


boron coated semiconductor detector | boron-coated semiconductor detector | lithium coated semiconductor detector

semicteur à dépôt de bore
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
10. Fluorinated greenhouse gases placed on the market for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector shall be labelled with an indication that the contents of the container may only be used for that purpose.

10. Les gaz à effet de serre fluorés mis sur le marché pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l’industrie des semi-conducteurs sont munis d’une étiquette indiquant que les substances présentes dans le conteneur peuvent uniquement être utilisées à cette fin.


the quantity of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has imported into the Union, identifying the main categories of application in which the substance is used, specifying separately quantities placed on the market for destruction, feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector.

les quantités de chaque substance énumérée à l’annexe I et, le cas échéant, à l’annexe II, qu’il a importée dans l’Union, en indiquant les principales catégories d’applications dans lesquelles la substance est utilisée, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour destruction, utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d’inhalateurs doseurs destinés à l’administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé ...[+++]


hydrofluorocarbons supplied directly by a producer or an importer to an undertaking using it for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector.

aux hydrofluorocarbones fournis directement par un producteur ou un importateur à une entreprise qui les utilise pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l’industrie des semi-conducteurs.


the quantities of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has placed on the market in the Union, specifying separately quantities placed on the market for feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector.

les quantités de chaque substance énumérée à l’annexe I et, le cas échéant, à l’annexe II, qu’il a mises sur le marché dans l’Union, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d’inhalateurs doseurs destinés à l’administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l’industrie des semi-conducteurs.


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(6) A change to machine-tools for working any material by removal of material by electro-chemical, electron beam, ionic-beam or plasma arc processes for dry-etching patterns on semiconductor materials of subheading 8486.20 from any other good of subheading 8486.20 or any other heading, except from heading 84.56 or more than one of the following:

(6) Un changement aux machines-outils travaillant par enlèvement de toute matière et opérant par procédés électrochimiques, par faisceaux d’électrons, par faisceaux ioniques ou par jet de plasma pour la gravure à sec du tracé sur les matières semi-conductrices de la sous-position 8486.20 de tout autre produit de la sous-position 8486.20 ou de toute autre position, sauf de la position 84.56 ou de plus d’un des éléments suivants :


(26) A change to other electrical machinery and apparatus having individual functions of subheading 8486.20 from subheading 8486.90, whether or not there is also a change from any other good of subheading 8486.20 or any other heading, except from ion implanters for doping semiconductor materials of subheading 8486.20 or heading 85.43, provided there is a regional value content of not less than:

(26) Un changement aux autres machines et appareils électriques ayant une fonction propre de la sous-position 8486.20 de la sous-position 8486.90, qu’il y ait ou non également un changement de tout autre produit de la sous-position 8486.20 ou de toute autre position, sauf des appareils d’implantation ionique pour doper les matières semi-conductrices de la sous-position 8486.20 ou de la position 85.43, à la condition que la teneur en valeur régionale ne soit pas inférieure à :


(25) A change to other electrical machinery and apparatus having individual functions of subheading 8486.20 from any other good of subheading 8486.20 or any other heading, except from ion implanters for doping semiconductor materials of subheading 8486.20 or heading 85.43; or

(25) Un changement aux autres machines et appareils électriques ayant une fonction propre de la sous-position 8486.20 de tout autre produit de la sous-position 8486.20 ou de toute autre position, sauf des appareils d’implantation ionique pour doper les matières semi-conductrices de la sous-position 8486.20 ou de la position 85.43; ou


(24) A change to ion implanters for doping semiconductor materials of subheading 8486.20 from subheading 8486.90, whether or not there is also a change from any other good of subheading 8486.20 or any other heading, except from other electrical machinery and apparatus having individual functions of subheading 8486.20 or heading 85.43, provided there is a regional value content of not less than:

(24) Un changement aux appareils d’implantation ionique pour doper les matières semi-conductrices de la sous-position 8486.20 de la sous-position 8486.90, qu’il y ait ou non également un changement de tout autre produit de la sous-position 8486.20 ou de toute autre position, sauf des autres machines et appareils électriques ayant une fonction propre de la sous-position 8486.20 ou de la position 85.43, à la condition que la teneur en valeur régionale ne soit pas inférieure à :


(23) A change to ion implanters for doping semiconductor materials of subheading 8486.20 from any other good of subheading 8486.20 or any other heading, except from other electrical machinery and apparatus having individual functions of subheading 8486.20 or heading 85.43; or

(23) Un changement aux appareils d’implantation ionique pour doper les matières semi-conductrices de la sous-position 8486.20 de tout autre produit de la sous-position 8486.20 ou de toute autre position, sauf des autres machines et appareils électriques ayant une fonction propre de la sous-position 8486.20 ou de la position 85.43; ou


10(b) Lead in PZT based dielectric ceramic materials of capacitors being part of integrated circuits or discrete semiconductors

10 b) Plomb dans les matériaux céramiques diélectriques de type PZT de condensateurs faisant partie de circuits intégrés ou de semi-conducteurs discrets


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