Traduction de «Metal oxide semiconductor field-effect transistor » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE

metal oxide semiconductor field-effect transistor | MOSFET [Abbr.]
transistor à effet de champ à oxydes métalliques

field effect transistor of MOS technology | metal oxide semiconductor field-effect transistor | Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | MOSFET [Abbr.]
transistor à effet de champ, réalisé en technologie MOS

metal-oxide semiconductor field-effect transistor [ MOSFET | metal oxide semiconductor transistor | MOS transistor ]
transistor à effet de champ métal-oxyde semiconducteur [ transistor MOS | transistor à effet de champ MOS | transistor métal oxyde semiconducteur | transistor à effet de champ à oxyde métallique ]

silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor | silicon MOS transistor
transistor MOS au silicium

metal-oxide silicon field-effect transistor | MOSFET
transistor métal-oxyde semi-conducteur à effet de champ | MOSTEC

metal semi-conductor field effect transistor
transistor métallique à effet de champ

metal-semi-conductor-field-effect-transistor [ MESFET ]
transistor à effet de champ métal-semiconducteur

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

The Applicant's alternator has an increased efficiency compared to the baseline alternator by reducing the following three losses: rectification losses by optimising the rectification by the use of a ‘MOSFET module’, i.e. by a use of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor; stator iron losses by the use of thin laminated core made by magnetic steel, and stator copper losses by the use of a ‘segment conductor’, which has higher space factor and shorter coil end.
L'alternateur du demandeur offre un rendement accru, comparé à celui de l'alternateur de base, car il réduit les trois pertes suivantes: rectification des pertes en optimalisant la rectification grâce au module MOSFET, à savoir en utilisant un transistor à effet de champ à oxydes métalliques; les pertes du stator en fer en utilisant un fin noyau stratifié composé d'acier magnétique, et les pertes du stator en cuivre en utilisant un «segment conducteur» avec un facteur spatial plus élevé et une tête de bobine plus courte.

The aim of the programme is to develop new technologies for the design and production of the next generation of integrated circuits and to strengthen the structure of the European micro- and nanoelectronics industry by positioning the Crolles-Grenoble cluster as a global leader in the field of advanced CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) technology.
Ce programme vise à développer de nouvelles technologies pour la conception et la production des prochaines générations de circuits intégrés, ainsi qu’à renforcer la structuration de la filière européenne en micro-nanoélectronique, en positionnant le cluster de Crolles - Grenoble comme un leader au niveau mondial dans le domaine des technologies CMOS ("Complementary metal-oxide-semiconductor") digitales avancées.

also with discrete Metal Oxide Field Effect Transistors (MOSFET) for controlling DC motors in cars
et de transistors discrets à effet de champ à structure métal-oxyde (MOSFET) pour le contrôle de moteurs à courant continu dans les automobiles,