Vertaling van "MOS integrated circuit " (Engels → Frans) :

TERMINOLOGIE

hybrid MOS-bipolar i.c. | MOS-bipolar transistor integrated circuit
circuit intégré à transistors MOS et bipolaires

digital integrated circuits | types of integrated circuit | integrated circuit types | mixed-signal integrated circuits
types de circuits intégrés

analog integrated circuit | analogue integrated circuit | linear integrated circuit
circuit intégré analogique | circuit intégré linéaire | CIA [Abbr.]

IC layout | integrated circuit layout | integrated circuit topography | topography of integrated circuit
topographie de circuit intégré

engineer of integrated circuits | integrated circuit designer | analog and mixed signal design engineer | integrated circuit design engineer
ingénieure en conception de composants électroniques | ingénieur en conception de composants électroniques | ingénieur en conception de composants électroniques/ingénieure en conception de composants électroniques

ICs | integrated electronic circuits | chip | integrated circuits
circuits intégrés

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).
Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).