Traduction de «dynamischer schreib-lesespeicher » (Allemand → Néerlandais) :

TERMINOLOGIE

dynamischer Schreib-Lesespeicher | dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff
dynamisch willekeurig toegankelijk lees/schrijfgeheugen | elektronische microschakeling

dynamischer RAM-Speicher | dynamischer Schreib-/Lesespeicher | dynamisches RAM
dynamisch RAM-geheugen | dynamische RAM

DRAM | Dynamischer Schreib-Lese-Speicher | Dynamisches RAM
Dynamisch RAM | Dynamisch RAM-geheugen

Schreib-Lese-Speicher | Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff | Ram [Abbr.]
willekeurig toegankelijk lees/schrijfgeheugen | Ram [Abbr.]

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

Der Rat nahm eine Verordnung zur Änderung der Verordnung 1480/2003 zur Einführung eines endgültigen Ausgleichszolls und zur endgültigen Vereinnahmung des vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea an (Dok. 7246/06).
De Raad heeft een verordening aangenomen tot wijziging van Verordening (EG) nr.1480/2003 tot instelling van een definitief compenserend recht op de invoer van bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's, uit de Republiek Korea en tot definitieve inning van het voorlopige compenserende recht (doc. 7246/05).

Die Überprüfung betrifft bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea (nachstehend „betroffene Ware“ genannt).
Het onderzoek heeft betrekking op de micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd, vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden en varianten, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea.

Mit der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 (3) (nachstehend „endgültige Verordnung“ genannt) führte der Rat auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd (nachstehend „Samsung“ genannt), für den ein Nullzollsatz festgesetzt wurde, einen endgültigen Ausgleichszoll in Höhe von 34,8 % ein.
Bij Verordening (EG) nr. 1480/2003 (3) (hierna „de definitieve verordening” genoemd) heeft de Raad een definitief compenserend recht van 34,8 % ingesteld op bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories) uit de Republiek Korea, vervaardigd door andere ondernemingen dan Samsung Electronics Co. Ltd (hierna „Samsung” genoemd), waarvoor een recht van 0 % werd vastgesteld.

Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea.
De herbeoordeling heeft betrekking op hetzelfde product als het oorspronkelijke onderzoek, namelijk micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories), van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte „wafers” of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider-(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame, enz., uit de Republiek Korea.

Der Rat hat heute eine Verordnung zur Einführung eines endgültigen Ausgleichszolls und zur endgültigen Vereinnahmung des vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea (Dok. 11806/03) angenommen; die französische und die niederländische Delegation hatten gegen die Annahme gestimmt.
De Raad heeft heden , met stemmen tegen van de Franse en de Nederlandse delegatie, een verordening aangenomen tot instelling van een definitief compenserend recht op de invoer van bepaalde micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd (dynamic random access memories), uit de Republiek Korea en tot definitieve inning van het voorlopige compenserende recht (doc. 11806/03).

Der Rat hat die Verordnung (EWG) Nr. 611/93 zur Einführung eines endgültigen Antidumpingzolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, sogenannter "DRAMs" ("dynamic random access memories" = dynamische Schreib-Lesespeicher) mit Ursprung in Korea, aufgehoben und beschlossen, daß das betreffende Verfahren eingestellt wird, zumal der betroffene Wirtschaftszweig der Gemeinschaft mitgeteilt hatte, daß er die Aufrechterhaltung der geltenden Antidumpingmaßnahmen nicht länger unterstütze.
De Raad heeft Verordening (EEG) nr. 611/93 ingetrokken tot instelling van een definitief antidumpingrecht op de invoer van bepaalde elektronische microschakelingen, bekend als DRAM's ("dynamic random access memories"), van oorsprong uit Korea, en heeft de procedure voor die invoer beëindigd, omdat de betrokken bedrijfstak uit de Gemeenschap zijn steun voor de voortzetting van de antidumpingmaatregelen heeft ingetrokken.

Antidumping: Einfuhren von "DRAMs" aus Japan und der Republik Korea Der Rat hat die Aussetzung der mit den Verordnungen (EWG) Nr. 2112/90 bzw. Nr. 611/93 eingeführten endgültigen Antidumpingzölle auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, sogenannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher), mit Ursprung in Japan bzw. der Republik Korea um ein Jahr verlängert.
Anti-dumping : Invoer van DRAM's uit Japan en de Republiek Korea De Raad heeft de opschorting van de definitieve anti-dumpingrechten op de invoer van bepaalde soorten elektronische microschakelingen, bekend als DRAM's (dynamic random access memories), van oorsprong uit Japan en de Republiek Korea, die respectievelijk door de Verordeningen (EEG) nr. 2122/90 en nr. 611/93 zijn ingesteld, met een periode van één jaar verlengd.

Vorgeschichte Im September 1992 führte die Kommission einen vorläufigen Antidumpingzoll von 10,1 % auf sämtliche Importe von DRAMs (dynamische Schreib- Lesespeicher) mit Ursprung in der Republik Korea1) in die Gemeinschaft ein.
Achtergrond In september 1992 stelde de Commissie een voorlopig anti-dumpingrecht van 10,1 % in op de invoer in de Gemeenschap van DRAM's (dynamic random access memories) van oorsprong uit de Republiek Korea(1).